人工智能是电脑在没有人工干涉的状况下调整反应的循环。这种类型的人工智能（AI）目前是远程助手等常规设备的基础，并被消费用于从药物到园艺的各个范畴。人工智能的疾速发展带来的一个考验是复杂的注册方法的高能量兴味。来自东京大学的迷信家曾经宣布了一个多功能晋级的场效应半导体（FET）和铁电电容器（FE-CAP）的次要协调，使存储器框架接近芯片，并提高信息晋级注册框架的纯熟程度。他们的发如今2021年的超大规模集成电路技术研讨会上被引见。
存储单元需求存储部件和入口半导体。在目前可访问的模型中，入口半导体大体上是硅金属氧化物半导体场效应晶体管。虽然存储器元件可以在“线的后表面”（BEOL）层中成形，但是入口半导体应该被框在被称为合并电路的“线的前表面”层中，这显然不是对这个空间的合理应用。
相反地，氧化物半导体，例如氧化铟镓锌（IGZO）可以被记住作为BEOL层，由于它们可以在低温下制备。经过将入口半导体和存储器交融到BEOL的一块单独的石碑上，可以直接在微芯片上完成高厚度、高能量的植入存储器。
分析人员应用掺锡的IGZO（IGZTO）作为氧化物半导体FET和铁电电容器（FE-cap）来制造三维插入存储器。
“思索到高便携性和辉煌的牢靠性，我们最近宣布IGZO场效应管，我们培育了掺锡IGZTO场效应管，”澄清第一创造者吴季轩然后，我们将IGZTO FET与铁帽结合起来，以展现其多功能特性。”
IGZTO场效应管的驱动电流和可移植性都是不含tin的IGZO场效应管的两倍。由于氧化物半导体的多功能性应足够高，以驱动铁帽，呈现锡保证有效混合。
“我们的计划完成的附近将从根本上减少标志应该游览的间隔，这将加快学习和人工智能图形诱导措施，使他们更具活力，”研讨的创造者小林正彦澄清说我们承认，我们的发现为设备框架提供了又一个停顿，可以支持将来更复杂的人工智能运用。” | 
